难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

金容锡提醒，忧韩应先对DDR4、韩国方面已难言高枕无忧。认为两者之间存在约6年的时差。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。就能把这些收益再投入先进产品研发。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，多位韩国专家判断，差距已缩小至2年左右，最早也要等到2032年至2034年之后。

9月28日消息，若中国以不计成本的姿态进攻，成本、

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。白瑞仁表示，追赶节奏明显加快，实际生态差距为4至5年。中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，单看单元微缩约差2年，

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